Публикации 2007-2009 годов

2009 год

  1. A. S. Gudovskikh, J. P. Kleider, R. Chouffot, N. A. Kalyuzhnyy,S. A.Mintairov and V. M. Lantratov, III-phosphides heterojunction solar cell interface properties from admittance spectroscopy, J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 165307
  2. J.P. Kleider, R. Chouffot, A.S. Gudovskikh, P. Roca i Cabarrocas, M. Labrune, P.-J. Ribeyron and R. Brüggemann Electronic and structural properties of the amorphous/crystalline silicon interface, Thin Solid Films, 517 (23) (2009), p.6386-6391.
  3. А.С. Гудовских, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, В.М. Андреев, Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP, ФТП 43 (2009) 1403.
  4. A. S. Gudovskikh, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts and V. M. Andreev, Properties of interfaces in GaInP solar cells, Semiconductors 43 (10) (2009) p. 1363-1368.
  5. Д. А. Кудряшов, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Е. П. Ракова. Исследование технологии выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия на германиевой подложке методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / Конференция (школа-семинар) по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада. Санкт-Петербург, 29-30 октября 2009 года. Сб. тезисов докладов, Стр. 22-23.
  6. Е.П. Ракова, А.С. Власов, Д.А. Кудряшов, Р.В.Левин. Исследование низкотемпературных эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевой подложке методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, с помощью фотолюминесценции /Сб. тезисов 11-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлетронике. 30 ноября - 4 декабря 2009, Санкт-Петербург. Стр. 8.


2008 год

  1. J. P. Kleider, M. Soro, R. Chouffot, A.S. Gudovskikh, P. Roca i Cabarrocas, J. Damon-Lacoste, D. Eon, P-J. Ribeyron, High interfacial conductivity at amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions, Journal of Non-Crystalline Solids 354/19-25 (2008) 2641-2645.
  2. C. Godet, J. P. Kleider, A.S. Gudovskikh, Electric field-controlled sign of the capacitance in metal-carbon nitride-metal devices, Journal of Non-Crystalline Solids 354/19-25 (2008) 2637-2640.
  3. J. P. Kleider, A.S. Gudovskikh, P. Roca i Cabarrocas, Determination of the conduction band offset between hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon from surface inversion layer conductance measurements,  Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 162101.
  4. R. Chouffot, S. Ibrahim, R. Brüggemann, A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, M. Scherff, W.R. Fahrner, P. Roca i Cabarrocas, D. Eon, P.-J. Ribeyron, Comparison of photoluminescence and capacitance spectroscopies as efficient tools for interface characterisation of heterojunction solar cells, Journal of Non-Crystalline Solids 354/19-25 (2008) 2416-2420.
  5.  A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Numerical modelling of GaInP solar cells with AlInP and AlGaAs windows. Thin Solid Films 516 (2008) pp. 6739-6743.
  6. A.S. Gudovskikh, R. Chouffot, J. P. Kleider, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, J. Damon-Lacoste, D. Eon, P. Roca i Cabarrocas, P.-J. Ribeyron, New method for interface characterisation in heterojunction solar cells based on diffusion capacitance measurements. Thin Solid Films 516 (2008) pp. 6786-6790.
  7. A.S. Gudovskikh, J. P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, Study of GaInP heterojunction solar cell interface properties by admittance spectroscopy, Proceedings of the 23th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Valencia, Spain (2008) pp. 358-363.
  8. J. P. Kleider, A. S Gudovskikh : "Characterization of amorphous/crystalline silicon interfaces from electrical measurements", MRS Spring Meeting, San Francisco, 24-28 March 2008, Proc. Vol. 1066, pages 75-86.


2007 год

  1. C. Godet, J.P. Kleider, A.S. Gudovskikh, Frequency scaling of ac hopping transport in amorphous carbon nitride, Diamond & Related Materials 16 (2007) 1799–1805.
  2. A. S. Gudovskikh, J. P. Kleider, Capacitance spectroscopy of amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cells at forward bias and under illumination. Appl. Phys. Letter 90 (2007) 034104.
  3. A.S. Gudovskikh, S. Ibrahim, J.-P. Kleider, J. Damon-Lacoste, P. Roca i Cabarrocas, Y. Veschetti, P.-J. Ribeyron, Determination of band offsets in a-S:H/c-Si heterojunctions from capacitance-voltage measurements: capabilities and limits. Thin Solid Films 515 (2007) 7481-7485.
  4. C. Godet, J. P. Kleider, A. S. Gudovskikh, Scaling analysis of field-enhanced bandtail hopping transport in amorphous carbon nitride. Phys. Stat. Sol. (b), 244 (2007) 2081-2099.