Достижения лаборатории

2014 год

Победа нашего аспиранта Соснина Дмитрия и Бейсембаева Евгения с победой в престижном Молодежном научно-инновационном конкурсе "УМНИК"!!! 

  

 
Запуск установки плазмохимического травления Plasmalab System100 ICP 380
 
Участие наших сотрудников в международных конференциях: по компьютерному моделированию полупроводниковых приборов NUSOD 2014 и на конференции по фотоэлектрической солнечной энергетике PVSEC 2014
 
Участие наших молодых аспирантов в международной конференции EMRS-2014 Spring Meetings c докладом A.I. Baranov, A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov "Defect characterization in GaPNAs solar cells"// E-MRS Spring Meeting 2014, Lille, France, 26-30 May 2014, YP1 44
 

Силами лаборатории введена в эксплуатацию установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalab system 100 PECVD

 

2013 год

Участие сотрудников лаборатории Гудовских А.С. и Кудряшова Д.А. в 28-й Европейской конференции по фотоэлектрическому преобразованию солнечной энергии (PVSEC-2013), проходившей в Париже, Франция

 

Создана и введена в эксплуатацию установка для резки полупроводниковых пластин

 

Двое магистров-выпускников лаборатории возобновляемых источников энергии Соснин Дмитрий и Баранов Артем поступили в аспирантуру Академического университета
Подробности:

  • Приказ № 41-13 от 21.08.2013

 

Разработана технология формирования тонких пленок оксида цинка легированного алюминием методом магнетронного распыления
Подробности:

  • Д.В. Соснин, Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских. Разработка технологии формирования тонких пленок ZnO:Al методом ВЧ магнетронного распыления // Девятая Российская конференция "Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики", Санкт-Петербург, 11-14 ноября 2013 года

 

Разработана конструкция двух- и трехпереходных солнечных элементов на основе GaP(NAs)-гетероструктур и создан прототип СЭ методом молекулярно пучковой эпитаксии
Подробности: 

  • A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, D.A. Kudryashov, A.Yu. Egorov, E.V. Nikitina, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev. Study of GaP(NAs) solar cells grown by molecular beam epitaxy // EMRS Spring Meeting, Strasbourg, France , 27-31 May 2013, D.XV. 3
  • E.V. Nikitina, A.S. Gudovskikh, D.A. Kudryashov, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, K.S. Zelentsov & A.Y. Egorov. GaAs/GaInNAs Heterojunctions for Multijunction Solar Cells // 28th EU PVSEC 2013 in Paris Nord Villepinte 1CV.6.23
  • Баранов А.И., Гудовских А.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Фотоэлектрические свойста солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP // Письма в ЖТФ, 2013, том 39, вып. 24, стр.88-94

 

Разработана технология формирования проводящих прозрачных покрытий ITO методом магнетронного распыления
Подробности:

  • Dmitry Kudryashov, Alexander Gudovskikh, Kirill Zelentsov. Indium Tin Oxide Films Grown at Room Temperature by RF-Magnetron Sputtering in Oxygen-Free Environment // Solid State Phenomena. V. 200. 2013. Pages 10-13

 

2012

Участие сотрудников лаборатории Гудовских А.С. и Кудряшова Д.А. в семинаре по обучению работе на установках Oxford ICP 100/133, Oxford PECVD 100  в рамках “System User Maintenance Training System 100/133”, проходившего в г. Яттон, Великобритания.

 

Выход монографии сотрудника лаборатории Гудовских А.С.
Подробности:

  • Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. 160 с.

 

Лаборатория выиграла грант РФФИ для научных проектов, выполняемых ведущими молодежными коллективами "Исследования по созданию высокоэффективных солнечных элементов нового поколения на основе кремниевых гетероструктур"
Подробности:

  • Грант РФФИ № 12-08-33013 мол_а_вед

 

Были проведены исследования процессов взаимной диффузии на гетерогранице между соединениями А3В5 и элементами IV группы на примере системы GaInP/Ge. Было показано, что одновременная диффузия атомов элементов V‑ой (фосфора) и III-ей (галлия) группы в Ge подложку может привести к возникновению дополнительных потенциальных барьеров на границе раздела. Большая величина предела растворимости галлия наряду с меньшим коэффициентом диффузии по сравнению с фосфором приводят к локальному доминированию легирования p-типа проводимости в приповерхностной области легированной фосфором (n-тип проводимости).
Подробности:

  • A.S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, N. A. Kalyuzhnyy, V. V. Evstropov, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, Interface properties of GaInP/Ge heterostructure subcells of multijunction solar cells, J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (2012) 495305

 

2011

Разработана технология формирования просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии методом ВЧ магнетронного распыления
Подробности:

  • Д. А. Кудряшов, Д. А. Минаков, А. С. Гудовских. Разработка технологии формирования просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии методом ВЧ магнетронного распыления // Конференция по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада. Санкт-Петербург, 26-27 октября 2011 года. Стр. 136-138.

 

Проведены исследования зонной структуры на границах раздела GaAs/AlGaAs, GaAs/GaInP и GaAs/AlInP, а также ее влияние на характеристики фотопреобразовательных структур
Подробности :

  • A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov and S.A. Mintairov, Band structure at heterojunction interfaces of GaInP solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells  94 2010 1953-1958

 

Разработана методика определения величины эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в Ge для гетероструктур n-GaInP/n-p Ge, основанная на измерении диффузионной емкости при освещении и напряжении прямого смещения равном, напряжению холостого хода. Показано, что методика измерения может обладать высокой чувствительностью к скорости поверхностной рекомбинации на тыльном контакте, что обуславливает перспективность ее применения при разработке методов пассивации тыльной поверхности n-GaInP/n-p Ge гетероструктур.
Подробности :

  • A. S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov J.P. Kleider, Characterization of GaInP/Ge heterostructure solar cells by capacitance measurements at forward bias under illumination, Energy Procedia 3 (2011) 76–83

 

Была продемонстрирована вероятность возникновения паразитного потенциального барьера для основных носителей заряда на границе раздела изотипных гетеропереходов между фосфидами и арсенидами металлов III-группы p-типа проводимости за счет значительной величины разрыва валентных зон. Наличие потенциального барьера было подтверждено экспериментально в структуре GaInP/GaAs/Ge трехперходного солнечного элемента. Выявленный потенциальный барьер приводит к появлению перегиба на нагрузочной вольтамперной характеристике структур и уменьшению ее КПД. Предложен способ уменьшить высоту потенциального барьера для основных носителей заряда. Примененный подход позволил повысить величину КПД трехперходного GaInP/GaAs/Ge солнечного элемента с 33,7% до 34,7%.
Подробности :

  • Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. 160 с.