Патенты лаборатории

  1. Патент на изобретение RU2690861C2. Заявка: 2016141366 от 20.10.2016. Низкотемпературный способ формирования полупроводниковых слоев фосфида галлия и твердых растворов на его основе на подложках кремния. Гудовских Александр Сергеевич (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Морозов Иван Александрович (RU), Никитина Екатерина Викторовна (RU), Монастыренко Анатолий Ойзерович (RU). Опубликовано: 06.06.2019 Бюл. № 16
  2. Заявка на изобретение RU2017140035A от 16.11.2017. Конструкция многопереходного фотоэлектрического преобразователя с вертикально-ориентированной столбчатой структурой на основе интеграции полупроводниковых соединений и кристаллического кремния и способ его изготовления. Авторы: Гудовских Александр Сергеевич. Кудряшов Дмитрий Александрович, Морозов Иван Александрович, RU. Опубликовано 16.05.2019 Бюл. № 14
  3. Патент на изобретение RU2711824C1. Заявка: 2016149165, 14.12.2016. Рост GaN нанотрубок, активированный легирующей примесью Si на подложках Si с тонким буферным слоем AlN. Мухин Иван Сергеевич (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Можаров Алексей Михайлович (RU), Большаков Алексей Дмитриевич (RU), Сапунов Георгий Андреевич (RU), Федоров Владимир Викторович (RU). Опубликовано: 22.01.2020 Бюл. № 3
  4. Патент на изобретение RU2624831C2 Заявка: 2015151109, 27.11.2015. Фотоэлектрический преобразователь на основе полупроводниковых соединений A2B4C52, сформированных на кремниевой подложке. Мухин Иван Сергеевич (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Можаров Алексей Михайлович (RU), Большаков Алексей Дмитриевич (RU), Гудовских Александр Сергеевич (RU), Алферов Жорес Иванович (RU). Опубликовано: 07.07.2017 Бюл. № 19
  5. Патент на полезную модель RU138028U1. Заявка: 2013123723/28, 23.05.2013. Фотоэлектрический инфракрасный каскад на основе наногетероструктуры InAs/GaAsN на подложке арсенида галлия. Егоров Антон Юрьевич (RU), Гудовских Александр Сергеевич (RU), Алферов Жорес Иванович (RU). Опубликовано: 27.02.2014 Бюл. № 6
  6. Патент на изобретение    RU2483387C1. Заявка: 2011151265/28, 14.12.2011. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки. Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Левин Роман Викторович (RU). Опубликовано: 27.05.2013 Бюл. № 15
  7. Патент на изобретение RU2457574C1. Заявка: 2011106341/28, 18.02.2011. Способ полирования полупроводниковых материалов. Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Мизеров Михаил Николаевич (RU), Пушный Борис Васильевич (RU). Опубликовано: 27.07.2012 Бюл. № 21
  8. Патент на изобретение RU2 442 242C1. Заявка: 2010143070/28, 20.10.2010. Многопереходный преобразователь. Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Калюжный Николай Александрович (RU), Лантратов Владимир Михайлович (RU), Минтаиров Сергей Александрович (RU), Гудовских Александр Сергеевич (RU). Опубликовано: 10.02.2012 Бюл. № 4
  9. Патент на изобретение RU2436191C1. Заявка: 2010126395/28, 28.06.2010. Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием. Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Малевская Александра Вячеславовна (RU), Гудовских Александр Сергеевич (RU), Задиранов Юрий Михайлович (RU). Опубликовано: 10.12.2011 Бюл. № 34
  10. Патент на изобретение RU2422944C1. Заявка: 2009145142/28, 07.12.2009. Способ изготовления гетероструктуры для фотопреобразователя на основе арсенида галлия на германиевой подложке. Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Левин Роман Викторович (RU), Пушный Борис Васильевич (RU). Опубликовано: 27.06.2011 Бюл. № 18
  11. Патент на изобретение  RU2407108C2. Заявка: 2008113598/28, 07.04.2008. Концентраторный солнечный элемент. Терра Арнольд Романович (RU), Андреев Вячеслав Михайлович (RU), Гудовских Александр Сергеевич (RU), Румянцев Валерий Дмитриевич (RU), Лантратов Владимир Михайлович (RU). Опубликовано: 20.12.2010 Бюл. № 35
  12. Патент на изобретение RU2357238C1. Заявка: 2007143438/28, 23.11.2007. Способ определения парциальных токов активного растворения металла, образования и растворения анодного осадка на его поверхности. Введенский Александр Викторович (RU), Грушевская Светлана Николаевна (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Лукьянчиков Александр Николаевич (RU). Опубликовано: 27.05.2009 Бюл. № 15
  13. Патент на полезную модель RU66052U1. Заявка: 2007114326/22, 16.04.2007. Устройство для измерения фототока. Лукьянчиков Александр Николаевич (RU), Грушевская Светлана Николаевна (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Введенский Александр Викторович (RU). Опубликовано: 27.08.2007 Бюл. № 24
  14. Патент на полезную модель RU55988U1. Заявка: 2005124924/22, 04.08.2005. Устройство для измерения фотоэлектрического потенциала. Лукьянчиков Александр Николаевич (RU), Грушевская Светлана Николаевна (RU), Кудряшов Дмитрий Александрович (RU), Введенский Александр Викторович (RU). Опубликовано: 27.08.2006 Бюл. № 24